11月8日,据韩媒报道,三星半导体南韩器兴厂,因为8寸硅晶圆生产线采用了受到污染的设备,导致产品出现瑕疵,损失达数十亿韩元!三星一名高管承认发现瑕疵产品,但表示制程已获得修正。
今年早些时候,三星的第一代10纳米(1x纳米)DRAM产品出现了问题。这次8寸产线又出重大事故,严重威胁了三星的行业声誉。
这些瑕疵产品是由于三星位于韩国器兴厂的8英寸晶圆生产线上使用了受污染设备造成的。三星一名高管承认发现瑕疵产品,但制程已获得修正,损失估计在数十亿韩元。
然而,一些专家表示,损失可能远超三星预计。业内人士表示,三星尚未计算出确切的损失金额。
三星正大举投资代工行业,并定下到2030年在系统半导体行业占据全球第一的目标,无论最终损失多少,对三星而言,其信誉将受到不小的打击。
据介绍,该生产问题发生在几周前,三星表示现在已经解决了该问题,生产已经恢复。该公司没有具体说明哪个晶圆厂受到了影响。
报道称,受污染的设备影响了整个工厂。三星称,暴露在设备上的几批晶圆不得不被处理掉,造成了数百万美元的损失,但据内部人士报道,由于三星尚未完全估计其影响,估计损失可能会更高。
据悉今年年初,台积电也经历了一次污染,至少损坏了1万片晶圆,并损失了5.5亿美元。
8月22日,行业内消息,三星7nm工艺良品率出现问题,高通交由三星代工的中端5G处理器骁龙SDM7250全部报废,这批5G芯片原本计划在明年一季度推出。这一问题不仅发生在高通处理器上,三星自身的处理器也遇到同样情况,这将影响客户对采用三星7纳米工艺的信心。
晶圆的生产有着非常高的要求,在制作的过程中要使用大量的化学原料,且纯度要求很高,原材料纯度不够,或是制作当中任何流程出行出现偏差,都有可能导致大批产品报废,因此在全球晶圆厂商当中产品开发过程出现瑕疵的情况,也并不是个例,但是同样作为世界级的半导体供应商,三星和台积电比起来还是稍逊一筹。
市场调研机构指出,三星今年 Q4 多数资本支出将用来打造内存基础建设、因应中长期需求。其 Q4 资本支出预计会季增 81%至 79 亿美元,较 2017 年 Q4 的前次历史高(68.77 亿美元)多出 15%。
若以今年一整年来看,三星的半导体资本支出将年减 8%至 199 亿美元。不过,该公司 2017 年、2018 年与 2019 年的半导体合并资本支出将达到 658 亿美元,比英特尔(Intel Corp。) 多出 53%,是同期间内支出次高的业者。不只如此,三星 2017-2019 年合计 658 亿美元的半导体资本支出,也会较所有中国本土半导体商的合并支出(308 亿美元)高出一倍以上。
三星垫电子透露,一周前,该公司的内存生产设备受到污染,损失估计大约数百万美元。三星表示,事故发生在一个星期之前,现在已经完全解决,生产重归正规。
据悉,污染设备影响了整座工厂,大批相关晶圆不得不报废处理,损失惨重,而且据内部人士称,实际损失可能比三星估计的数百万美元还要多,因为三星尚未完成全部评估。
三星没有披露具体是哪座工厂出现的问题,据外媒报道称是一家相对落后的200mm内存晶圆厂,而不是新的300mm晶圆厂。
停电、洪水、起火、中毒……内存、闪存、硬盘工厂在历史上总是事故不断,也伴随着各种涨价。三星这一出事儿,难免又要被“阴谋论”指责是借机涨价了。
来源:芯闻资讯
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